四電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr。此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。四電弧提拉法單晶生長爐是一種用于生長高熔點、化學性質活潑金屬間化合物單晶的設備，特別適合制備含有稀土或鈾元素的材料。其核心原理是通過四個對稱電極放電產生高溫熔化原料，再通過精密提拉系統控制晶體生長。?液壓系...

2025-12-10

大尺寸自動流延涂覆機加熱溫度可達100℃，采用真空吸附來固定襯底，使得涂敷過程中襯底不會起褶皺，從而使得涂敷更加順暢。自動流延涂覆機中配有一精密的可調制膜器，移動推桿以恒定的速度推動其勻速移動，從而達到漿料涂覆在基底上的均勻性。加熱真空床：加熱真空床由鋁合金制成，帶有微型孔真空吸盤尺寸：600mm（長）×300mm（寬）×22mm（高）加熱元件內置在真空床內，可均勻加熱至100oC*大值精密數字溫度控制器，精度為+/-1℃刮膜器：包括一個250mm寬的千分尺可調式涂膜器，厚度...

2025-11-25

在芯片制造的微觀世界里，化學氣相沉積（CVD）設備堪稱一位精準的"鍍膜魔法師"——通過氣相化學反應，在硅片表面生長出僅有幾納米厚的功能薄膜。這項誕生于實驗室的技術，如今已成為半導體、光伏乃至LED產業的核心支柱。現代CVD設備已發展出多元技術路線：等離子體增強CVD（PECVD）利用射頻能量激發反應氣體，在低溫下實現高質量薄膜沉積，特別適用于柔性電子和先進封裝；低壓CVD（LPCVD）則在接近真空的環境中制造高純度材料，是邏輯芯片介電層的優選方案；而金屬有機CVD（MOCVD...

2025-11-18

粉末涂覆法制備CIGS薄膜的詳細工藝流程第一步：前驅體粉末制備這是整個工藝的基礎。通常有兩種路徑：直接使用商業購買的Cu、In、Ga、Se的單質或合金粉末。這些粉末需要具有高純度（通常99.99%）和合適的粒徑（通常在微米級或亞微米級）。自行合成CIGS前驅體粉末：通過共沉淀法、球磨合金化法等方法，預先合成出具有特定化學計量比的（CuInGa）Se?粉末。這種方法可以更好地控制最終薄膜的組分均勻性。第二步：漿料配制這是最關鍵的技術環節之一。將前驅體粉末與特定的溶劑和添加劑混合...

2025-11-04

傳統勻膠機通常只有一個固定的滴膠頭或靜態噴頭，通過中心滴膠或靜態噴灑的方式將光刻膠覆蓋在基片上，然后通過高速旋轉產生的離心力使膠體鋪展均勻。四噴頭超聲波勻膠機則是一種革命性的設計。它集成了以下核心部件：四個獨立的超聲波壓電噴頭：這是其名稱的由來。每個噴頭都是一個獨立的、精密的液體分配單元。高精度機械臂：這四個噴頭被安裝在一個多自由度的機械臂上，可以精確控制噴頭在基片上方進行復雜的三維運動。超聲波霧化技術：利用高頻超聲波振動將液體“撕裂”成極其微小且均勻的霧狀液滴（通常直徑在微...

2025-11-04

1.SPS技術簡介放電等離子燒結是一種先進的粉末快速固結技術。它通過將脈沖直流電直接通過石墨模具和粉末顆粒，實現內部加熱和燒結。與傳統熱壓（HP）或熱等靜壓（HIP）相比，SPS具有以下獨特之處：快速升溫和冷卻：加熱速率可達幾百攝氏度每分鐘，能極大縮短工藝周期。放電效應：在粉末顆粒之間產生的瞬時脈沖放電，可以活化顆粒表面，清除氧化物污染，促進物質遷移和擴散。壓力輔助：在整個燒結過程中施加軸向壓力，有助于粉末致密化。這些特點使得SPS非常適合制備細晶、高性能的金屬材料，包括對氧...

2025-11-04